闪电纳米芯片:多达8个触点同时偏压和加热
Nano-Chips的闪电系列为研究人员提供了能够以最高的精度控制其样品的偏置和加热环境。有不同的配置,闪电纳米芯片可确保可以在创建现实世界应用环境的同时保持TEM的全原子分辨率成像功率。
基于MEMS的技术
闪电纳米芯片使用最新的MEMS技术,以创建芯片上的偏置和热环境。使用金属加热和偏置线的独特性质以及独特的纳米芯片设计以及原位研究人员提供了最终的控制和准确性。
用常规技术进行样品制备
用于制备包括Lamellas,纳米线和颗粒的传统TEM样品的样品制备技术适用于纳米芯片。FIB LAMELLAS是最常用的偏置实验和偏溶解的样本,以及一些密度学术伴侣使用专门为纳米芯片专门设计的定制FIB存根开发了独特的FIB工作流程。该过程显着降低了总工作流程,并使转移成功更高。诸如微观操纵器的其他方法适用于样品制备到纳米芯片上。
400 kV / cm @ rt
偏见
偏见
300 kV / cm @ 900°C
同时加热和偏置
同时加热和偏置
0.6Å.
解析度
解析度
应用领域:
- 压电
- 勒
- 太阳能电池