更好地理解CMP过程的“C”

随着半导体工艺节点的不断缩小，必须实施新的材料和制造策略。新材料意味着不断发展的策略，化学机械平面化或抛光(CMP)工艺也不能幸免于这些增加的需求。

石英晶体微天平耗散技术(QCM-D)允许用户真正深入研究CMP过程的化学或“C”。有了QCM-D，工程师可以让泥浆在不同的金属或非金属表面流动，量化表面的实时化学行为。化学蚀刻或表面钝化可以根据浆料化学成分和使用的添加剂以及被研究的表面进行测量。化学CMP的复杂机理可以通过逐步研究CMP浆料的各个组分来揭示。化学腐蚀剂、表面活性剂、缓蚀剂和纳米颗粒磨料都可以在不同的工艺条件下进行测试，以确定最佳性能和所需的响应。

CMP后清洗是清除CMP过程中必要的磨料或抑制剂的必要步骤，QCM-D是一个伟大的工具，帮助探索如何最好地清洗后CMP残留物。许多不同的QCM-D传感器表面都与行业需求相关，包括Cu, Co, Al, W, SiO2, SiC，多晶硅，Si3N4, Al2O3，定制传感器可根据要求提供。

请观看本次按需网络研讨会，了解单个浆体组分以及全浆体配方如何与各种QCM-D表面相互作用，以便更好地理解QCM-D如何用于了解复杂的CMP工艺。